上海寶芯源功率半導體有限公司成立于2012年9月。公司總部座落于有“中國硅谷”之稱的上海張江高科技園。
依靠大量經驗豐富的技術人才，公司專注于設計、生產和銷售應用于電源管理，馬達驅動，模擬開關，音頻功放等領域高性能功率半導體元器件。
公司現有成熟產品包括大功率mos器件、肖特基二極管、igbt和功率驅動ic等。我們選擇Zui先進的生產線和生產工藝，應用先進而規范的設計流程，為客戶提供Zui大的產品價值，和Zui穩定的產品品質。
公司把“以人為本，以科技為先導，以服務為基礎”作為使命，把強化質量管理作為工作重點，力爭形成生產、服務完善的管理體系。以有力的競爭，良好的服務，誠信的理念為客戶創造價值，從而實現公司快速而穩定地成長。
依靠大量經驗豐富的技術人才，公司專注于設計、生產和銷售應用于電源管理，馬達驅動，模擬開關，音頻功放等領域高性能功率半導體元器件。
公司現有成熟產品包括大功率mos器件、肖特基二極管、igbt和功率驅動ic等。我們選擇Zui先進的生產線和生產工藝，應用先進而規范的設計流程，為客戶提供Zui大的產品價值，和Zui穩定的產品品質。
公司把“以人為本，以科技為先導，以服務為基礎”作為使命，把強化質量管理作為工作重點，力爭形成生產、服務完善的管理體系。以有力的競爭，良好的服務，誠信的理念為客戶創造價值，從而實現公司快速而穩定地成長。
聯系方式
- 公司地址：
- 中國（上海）自由貿易試驗區芳春路400號1幢3層
- 經理：
- 王凡
- 電子郵件：
- chengyc@pwcore.com
- 郵政編碼：
- 201203
- 順企®采購：
- 請賣家聯系我在線采購產品
其他聯系方式
| 電子郵箱 | chengyc@pwcore.com |
| 座機號碼 | 021-60751902 |
工商信息和基本資料
- 法人名稱：
- 上海寶芯源功率半導體有限公司
- 簡稱：
- 寶芯源功率半導體
- 主要經營產品：
- MOS , IGBT , IC , 肖特基
- 經營范圍：
- 功率半導體芯片的研發、銷售及相關領域內的技術咨詢、技術轉讓、技術服務，機械設備及配件、金屬材料及制品、建筑材料、五金交電、機電設備、勞防用品、電子產品、橡塑制品、辦公用品、化工原料及產品（除危險化學品、監控化學品、民用爆炸物品、易制毒化學品）的銷售，自有設備租賃（除金融租賃），會務服務，從事貨物及...
- 營業執照號碼：
- 310115002025588
- 發證機關：
- 自由貿易試驗區市場監督管理局
- 法人類型：
- 有限責任公司(自然人投資或控股)
- 經營期限：
- 永久
- 經營狀態：
- 存續
- 成立時間：
- 2012年09月27日
- 注冊資本：
- 人民幣200 萬元 (萬元)
- 所屬行業：
- 肖特基二極管
- 所屬城市黃頁：
- 上海企業網
- 順企編碼：
- 17688806
上海寶芯源功率半導體有限公司的股東
| 股東名字 | 出資比例 | 出資額 |
|---|---|---|
| 程義川 | 70% | 人民幣140.0萬元 |
| 王凡 | 30% | 人民幣60.0萬元 |
上海寶芯源功率半導體有限公司的工商變更記錄
| 變更項目 | 變更后 | 變更前 | 時間 |
|---|---|---|---|
| 章程修正案備案 | 2021-06-15章程修正案 | 無 | 2021-06-21 |
| 投資人變更 | 程義川; 王凡; [新增] | 程義川; 魏煒; [退出] | 2021-06-21 |
| 投資人變更 | 程義川; 魏煒; [新增] | 黃麗娜; [退出] 程義川; | 2020-11-30 |
| 章程備案 | 2020-11-20章程備案 | 無 | 2020-11-30 |
| 章程修正案備案 | 2019-02-12章程修正案 | 無 | 2019-02-18 |
| 聯絡員 | 黃麗娜 | 葛媛瑾 | 2019-02-18 |
| 投資人變更 | 程義川; 黃麗娜; [新增] | 程義川; 王凡; [退出] | 2019-02-18 |
| 法定代表人變更 | 程義川 | 王凡 | 2019-02-18 |
| 章程備案 | 2016-12-12章程備案 | 2016-11-14章程備案 | 2016-12-16 |
| 監事備案 | 李建平 | 張朝陽 | 2016-12-16 |
上海寶芯源功率半導體有限公司的組織架構
| 名字 | 職務 |
|---|---|
| 李建平 | 監事 |
| 王凡 | 執行董事兼總經理 |
上海寶芯源功率半導體有限公司的專利證書
| CN104426359A | 發明公布 | 2015-03-18 | 一種集成結型場效應晶體管的自舉電路及自舉方法 | 發電、變電或配電 | 王凡 |
| CN103887240A | 發明公布 | 2014-06-25 | 一種逆導型IGBT器件的制備方法 | 基本電氣元件 | 張朝陽 |
| CN103077960A | 發明公布 | 2013-05-01 | 溝槽功率器件結構及其制造方法 | 基本電氣元件 | 孫效中;王凡;張朝陽;程義川 |
| CN103928318A | 發明公布 | 2014-07-16 | 一種場終止型IGBT 器件的制造方法 | 基本電氣元件 | 張朝陽 |
| CN104465526A | 發明公布 | 2015-03-25 | 一種BCD工藝中集成結型場效應晶體管的方法 | 基本電氣元件 | 王凡 |
| CN103077960B | 發明授權 | 2016-01-06 | 溝槽功率器件結構及其制造方法 | 基本電氣元件 | 孫效中;王凡;張朝陽;程義川 |
| CN103887240B | 發明授權 | 2016-08-24 | 一種逆導型IGBT器件的制備方法 | 基本電氣元件 | 張朝陽 |
| CN104183485A | 發明公布 | 2014-12-03 | 一種超級勢壘整流器結構及其制作方法 | 基本電氣元件 | 孫效中 |