公司由留學歸國人員和國內知名真空領域的專家創辦。主要是以當前國際真空領域已經開始采用的新技術產品為發展方向，從事真空應用領域的設備、部件及工藝的研發生產。華迅真空科技擁有專業的真空技術、設備開發團隊，他們十幾年來一直自主開發、制造真空薄膜技術的應用設備和產品。并且被廣泛應用在薄膜材料的研究與獲得，建筑裝飾行業和太陽能利用領域，得到了國內外客戶的好評
聯系方式
- 公司地址：
- 沈陽市渾南新區飛云路18號115、116、121-123室
- 經理：
- 王曉光
- 經理手機：
- 15698809278
- 電子郵件：
- 1303038753@qq.com
- 在線QQ咨詢：
- 郵政編碼：
- 110000
- 傳真號碼：
- 86-24-23821289
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其他聯系方式
| 手機號碼 | 15698809278 |
| 電子郵箱 | 1303038753@qq.com |
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| 座機號碼 | 024-23812389 |
| 電子郵箱 | fanlin8808@126.com |
| 電子郵箱 | 165166044@qq.com |
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| 手機號碼 | 13840590828 |
| 座機號碼 | 024-83810196 |
| 手機號碼 | 13252898810 |
工商信息和基本資料
- 法人名稱：
- 沈陽華迅真空科技有限公司
- 簡稱：
- 華迅真空
- 主要經營產品：
- 多靶雙室磁控濺射鍍膜機 , 超高真空系統部件 , 真空烘烤系統 , 太陽能真空集熱管鍍膜機
- 經營范圍：
- 超高真空系統、光電子薄膜開發、制造；國內一般貿易（法律法規限制的項目除外）；自營和代理各類商品和技術的進出口，但國家限定公司經營或禁止進出口的商品和技術除外。（依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動。
- 營業執照號碼：
- 91210112738682001W
- 發證機關：
- 沈陽市渾南區市場監督管理局
- 法人類型：
- 有限責任公司(自然人投資或控股)
- 地區編碼：
- 210112
- 組織機構代碼：
- 73868200-1
- 核準日期：
- 2012-05-29
- 經營期限：
- 2022-07-18
- 經營狀態：
- 已注銷
- 成立時間：
- 2002年07月19日
- 注冊資本：
- 50 萬人民幣 (萬元)
- 所屬行業：
- 半導體材料 » 東陵區半導體材料
- 所屬城市黃頁：
- 沈陽企業網 » 東陵區
- 順企編碼：
- 10521313
沈陽華迅真空科技有限公司的股東
| 股東名字 | 出資比例 | 出資額 |
|---|---|---|
| 王曉光 | 90% | 人民幣45萬元 |
| 許仲蓮 | 10% | 人民幣5萬元 |
沈陽華迅真空科技有限公司的工商變更記錄
| 變更項目 | 變更后 | 變更前 | 時間 |
|---|---|---|---|
| 期限變更 | 2022-07-18 | 2012-07-18 | 2012-05-29 |
| 章程備案 | 章程 | - | 2012-05-29 |
| 投資人變更 | 王曉光; 許仲蓮; | 王曉光; 許仲蓮; | 2012-05-29 |
| 章程備案 | 章程 | 2012-05-29 | |
| 投資人變更 | 1王曉光;2許仲蓮; | 1王曉光;2許仲蓮; | 2012-05-29 |
| 地址變更 | 沈陽市渾南新區飛云路18號115、116、121-123室 | 沈陽高新區渾南產業區世紀路２９號 | 2008-03-12 |
| 名稱變更 | 沈陽華迅真空科技有限公司 | 沈陽超空科技有限責任公司 | 2006-11-17 |
| 高級管理人員備案 | 王曉光執行董事 許仲蓮監事 [新增] | 王曉光執行董事 | 2006-02-23 |
| 投資人變更 | 王曉光; 許仲蓮; | 王曉光; 張革; [退出] 許仲蓮; | 2006-02-23 |
| 高級管理人員備案 | 1王曉光執行董事;2許仲蓮監事; | 1王曉光執行董事; | 2006-02-23 |
沈陽華迅真空科技有限公司的組織架構
| 名字 | 職務 |
|---|---|
| 王曉光 | 執行董事 |
| 許仲蓮 | 監事 |
沈陽華迅真空科技有限公司的專利證書
| CN102796987A | 發明公布 | 2012-11-28 | 一種氣體離子源裝置 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制 | 王曉光 |
| CN102796987B | 發明授權 | 2014-08-27 | 一種氣體離子源裝置 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制 | 王曉光 |
| CN200985344Y | 實用新型 | 2007-12-05 | 一種用于生成化合物材料薄膜的源裝置 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制 | 王曉光 |
| CN201121207Y | 實用新型 | 2008-09-24 | 一種大面積鍍制太陽能整板集熱器芯片的裝置 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制 | 魏海波;王曉光;張晶宇 |