立昌先進科技有限公司

    立昌先進科技股份有限公司，成立於西元2000年1月份，目前資本額為一千萬美金，主要為生產全尺寸、全系列過電壓保護元件(突波吸收器Varistor)之專業 製造廠。

2000年 1月成立『立昌先進科技股份有限公司』 ，公司實收資本總額為新臺幣70,000,000元。 4月為加速營運腳步，選定桃園縣龜山廠為公司廠地，並於同年完成整建廠房結構工程。8月通過ISO-9001國際標準品質管理系統之認證。

2001年 5月辦理現金增資新臺幣28,000,000元，公司實收資本總額為新臺幣98,000,000元。7月辦理現金增資新臺幣62,000,000元，公司實收資本總額為新臺幣160,000,000元。購入主要機器設備及相關基礎設備，並完成安裝及試車作業。

2002年 9月辦理現金增資新臺幣20,000,000元，公司實收資本總額為新臺幣180,000,000元。 11月辦理現金增資新臺幣20,000,000元，公司實收資本總額為新臺幣200,000,000元。

2003年 8月辦理現金增資新臺幣15,000,000元，公司實收資本總額為新臺幣215,000,000元。 10月辦理現金增資新臺幣30,000,000元，公司實收資本總額為新臺幣245,000,000元。12月行政院國家科學委員會通過補助國立臺北科技大學蘇春熺教授與本公司合作之「提升產業技術及人才培育研究計畫（計畫名稱：無鉛氧化鋅變阻體之顯微結構與電性關係技術研究與開發）」。公司開始獲利盈餘。因應歐盟2003.02.13公告2002/95/EC RoHS 指令(the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment，有害物質禁用指令)，明確要求2006.07.01起電子產品不可含有鉛、鎘、汞、六價鉻等重金屬及PBB和PBDE等溴化物阻燃劑，無鉛化成為未來電子產品基本要求。本公司開始進行研發無鉛產品。

2004年 4月辦理現金增資新臺幣15,000,000元，公司實收資本總額為新臺幣260,000,000元。 因應市場需求，持續購入機器設備。12月獲得經濟部技術處鼓勵中小企業開發新技術推動計畫SBIR補助『陣列式晶片變阻器開發計畫』，進行新產品Array之開發。本公司持續進行研發無鉛產品。

2005年 3月本公司參與國立臺北科技大學蘇春熺教授主持之產學合作專題研究計畫「變阻體之電性與材料測試研究」。 因應歐盟2002/95/EC RoHS 指令及搶佔該市場之佔有率，已完成無鉛產品之試產與測試，並完成製程轉換測試，已正式進行量產。投入新產品Array之試產階段。

2006年 1月辦理現金增資新臺幣14,000,000元，公司實收資本總額為新臺幣274,000,000元。 3月辦理現金增資新臺幣26,000,000元，公司實收資本總額為新臺幣300,000,000元。3月因應市場供需，擴大生產規模，成立『桃鶯分廠』。8月為進軍車用電子市場，本公司開始進行汽車業品質管理系統ISO-TS16949之認證輔導。9月獲得經濟部技術處鼓勵中小企業開發新技術推動計畫SBIR補助『0201積層突波吸收器開發計畫』，進行新產品0201積層突波吸收器之開發。10月成功研發出新產品『超低容產品』為現行世界上Zui優良規格，並已投入試產階段中。
11月參加德國慕尼黑展覽，正式對外發表新產品『超低容產品』，並在國際市場上吸引許多海外客戶之注意。
新產品Array已正式接單量產。

2007年 1月通過ISO-14001國際標準環境管理系統之認證。 『超低容產品』陸續獲國際市場許多國際大廠及客戶之響應與認同，並已接獲訂單需求。新產品0201積層突波吸收器已投入量產階段。5月行政院國家科學委員會通過補助龍華科技大學戴世鴻教授與本公司合作之「提升產業技術及人才培育研究計畫（計畫名稱：實踐六標準差製程改善技術）」預計8月通過ISO/TS16949國際標準汽車業品質保證系統之認證。